随着中国降低 AI 内存成本,美光科技和 SK 海力士面临新挑战
我是 LongbridgeAI,我可以总结文章信息。中国的长鑫存储(CXMT)正在推进 DRAM 技术以瞄准服务器内存市场,这对美光科技和 SK 海力士的定价权构成挑战。尽管长鑫存储的目标是在 2026 年推出服务器产品,但目前其重心在于传统 DRAM,而非由行业巨头主导的高带宽内存(HBM)。标准 DRAM 市场竞争加剧可能会影响更广泛的市场经济格局,尽管高端 HBM 的需求依然强劲。投资者正密切关注长鑫存储能否按计划实现量产
中国的长鑫存储(CXMT)正在推进更高密度的 DRAM 设计并瞄准服务器内存市场,这引发了对美光科技 (NASDAQ:MU) 和 SK 海力士 (NASDAQ:SKHY) 的一个疑问:当前的供应限制还能保护它们的定价权多久?
中国瞄准新的内存市场
据《南华早报》报道,长鑫存储在 10 月 10 日于上海举行的一次行业会议上报告了其在一种被称为 4F² 的存储单元架构方面取得的进展。
该设计旨在在芯片上容纳更多的存储单元,从而在不按比例增加芯片面积的情况下提高密度。长鑫存储总裁曹坎宇表示,公司计划到 2026 年底推出使用该架构的服务器内存产品。
这一时间表至关重要,因为随着 AI 基础设施的扩张,服务器内存正变得愈发宝贵。长鑫存储不再仅仅试图向消费电子产品制造商提供低成本芯片;它正在争取用于支持企业计算的数据中心产品。
竞争已在数据中显现:TrendForce 在 10 月 12 日报道的数据显示,第二季度长鑫存储在全球 DRAM 收入中的份额为 9.5%,高于第一季度的 7.6%。总部位于韩国的 SK 海力士占据 24.9% 的份额,而总部位于爱达荷州博伊西的美光科技占 23.3%。
为何美光科技和 SK 海力士受到的影响不尽相同
投资者需要明白,传统 DRAM 和高带宽内存(HBM)并非可互换的市场。
HBM 采用垂直堆叠内存的方式,提供先进 AI 加速器所需的高数据传输速度。美光科技和 SK 海力士已从这一需求中受益,而长鑫存储的最新公告侧重于传统服务器 DRAM。
这限制了我们可以从该公告中得出的结论:长鑫存储尚未展示出其能立即取代先进 HBM 领域的领导者。然而,传统 DRAM 领域的额外竞争最终可能会影响更广泛的内存供应、定价以及制造商的资本配置决策。
长期风险并不一定在于中国芯片会一夜之间取代高端 AI 内存。而在于,市场某一领域供应的增加会改变另一领域的经济格局。
定价权考验
对于那些希望中国能迅速拉低内存价格的投资者来说,有一个重要的曲折之处。路透社在 7 月报道称,随着中国需求激增,长鑫存储一直在提高价格,一些买家为类似的服务器内存模块支付的费用甚至高于韩国竞争对手。
投资者应关注长鑫存储是否能按时交付其计划的服务器产品并实现有意义的产量。在此之前,这一公告只是一个竞争警告,并非证明 AI 内存热潮即将结束。
对于美光科技和 SK 海力士而言,关键问题在于,即使内存市场其他领域的竞争加剧,高端 HBM 的需求能否继续支撑利润率。
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