TradingKey - 美东时间 10 月 12 日，存储股全线大跌，市场对中国 DRAM 制造商长鑫科技（CXMT）推出的下一代 DRAM 架构及其在年底前推出相关服务器内存产品的计划担忧加剧，引发人们对未来服务器内存市场竞争加剧的恐惧。

根据市场研究公司 Counterpoint 的数据，基于全球 DRAM 供应商营收，长鑫科技在 2026 年第二季度占据 7% 的市场份额，全球排名第四。如果该技术成功商业化，预计长鑫将降低其单位内存成本，从而对现有供应商的市场份额和利润率施加压力。

长鑫科技总裁曹坎宇于 10 月 10 日表示，公司预计在年底前推出采用 4F²架构的下一代 DDR5 RDIMM 产品。这一进展的商业意义主要体现在存储单元面积上。目前，主流 DRAM 采用 6F²架构，其中 F 代表工艺中的最小特征尺寸。在相同的 F 值下，从 6F²过渡到 4F²理论上可以将单个存储单元的面积减少约三分之一。晨星分析师于静洁也指出，长鑫宣布的新结构将存储单元面积减少了约 30%。

对于 DRAM 制造商而言，存储单元面积的减小有望提高每片晶圆的内存产量。如果大规模生产良率保持稳定，且额外的工艺成本未抵消密度增加带来的收益，预计位成本将下降。因此，长鑫可能获得更大的定价灵活性，或在相同售价下提高利润率。

长鑫此次引入的一项关键创新是垂直环绕栅极（VSG）晶体管架构。通过使栅极更有效地控制电流，该结构旨在减少漏电流和短沟道效应，而垂直布局有助于减少晶体管所占用的平面面积。这为 DRAM 在传统缩放越来越困难的情况下继续提高密度提供了一条新的技术路径。

值得注意的是，技术突破与成功的大规模生产商业化之间仍存在差距。晨星分析师认为，长鑫将该结构商业化可能 “极其困难”，主要挑战包括批量生产过程中的一致性。在实验或样品阶段取得的性能必须在连续生产中稳定复制，才能转化为合格产品和实际利润。

因此，虽然在年底前推出产品是一个值得关注的里程碑，但还不能由此推断长鑫届时将实现大规模、低成本的供应。RDIMM 是服务器中广泛使用的内存模块格式，其运行要求不仅包括速度，还包括长期连续稳定性、可靠性以及与服务器平台的兼容性。国际存储巨头在这一领域积累了强大的客户和工程优势；为了扩大市场份额，长鑫必须清除制造和客户认证这两大障碍。

对于现有的 DRAM 供应商来说，潜在压力来自成本和供应两方面。如果长鑫实现稳定量产并扩大供应，较低的单位成本可能帮助其赢得订单，而有效供应的增加也可能对 DRAM 价格施加压力。

另一方面，评估长鑫公告对存储股的实际影响需要评估每家制造商的产品组合。服务器 DDR5 面临的潜在竞争不能直接等同于对 HBM 业务的同等影响。展望未来，真正决定竞争压力的将是长鑫的大规模生产良率、客户认证以及实际供应规模。