花旗发布研究报告称，近期 HBM 规格下调趋势并非需求疲软的信号，而是在供应紧张条件下最大化加速器出货量的务实举措。受扩展型 AI 架构、持续学习以及 ASIC/GPU 更广泛采用的推动，该行预计 2027 年 HBM 位元需求将同比激增 62% 至 752 亿 Gb，2028 年将进一步同比上涨 69% 至 1,270 亿 Gb，约为市场预期的两倍。

该行指出，尽管供应商继续扩张产能，供应仍将显著滞后于需求。预计供需缺口将从 2027 年的负 21% 扩大至 2028 年的负 36%。花旗预测，2027 年 HBM 供应将同比增长 64% 至 593 亿 Gb，2028 年将同比增长 36% 至 809 亿 Gb。按供应商划分，预计三星电子、SK 海力士（SKHY.US）和美光科技（MU.US）在 2027 年的 HBM 产能将分别同比增长 50%、67% 和 52%，月晶圆产能分别达到 24 万片、27 万片和 14 万片。

该行认为，上述预测反映出严重的供应短缺。除个别情况外，预计 HBM4 12hi 价格将从 2026 年的每 Gb 约 2 美元同比飙升 100% 至 150%，在 2027 年达到每 Gb 4-5 美元的区间。预计 HBM 8hi 相较于 12hi 将有约 20% 至 30% 的溢价，从而为存储芯片供应商在平均售价和利润率方面创造巨大的上行空间。(da/ad)（实时美股行情；所有场外交易报价至少延迟 15 分钟。）