美光科技（Micron Technology, Inc.）(NASDAQ: MU) 股價週一走低，投資者在公司 9 月 30 日發佈財政第四季度財報前，權衡美國國債收益率上升和原油價格上漲帶來的影響。

其他半導體股票也出現下跌。

BMO 分析師 Harsh Kumar 表示，儘管週一股價走弱，但得益於內存供應緊張以及人工智能在 DRAM、高帶寬內存（HBM）和 NAND 領域驅動的需求，美光科技繼續受益。

美光科技股價年初至今上漲近 280%。Kumar 給予該股 “跑贏大盤” 評級，目標價為 1,300 美元，他在內存價格表現強於預期後最近上調了盈利預測。

內存短缺支撐價格走勢

Kumar 將當前的內存市場描述為一個 “超級週期”，其持續時間可能遠遠超過明年年中。

他週六告訴 CNBC，一家分銷商估計需求約為可用供應量的三倍。與此同時，製造商仍在努力增加足夠的產能。

Kumar 預計，在整個 2027 日曆年乃至 2028 年的部分時間裏，供需關係將繼續失衡。

在第三季度，DRAM、HBM 和 NAND 的價格普遍上漲。Kumar 表示，這些漲幅超過了他的預期，促使他上調了預測。

服務器 DRAM，特別是 DDR5，已成為最新的上行驚喜。Kumar 表示，智能體人工智能（agentic AI）應用正在推動服務器需求並增加內存需求。

由於供應商通常通過合同銷售產品，HBM 價格對短期市場波動的反應較弱。相比之下，DRAM 更容易受到市場和現貨價格的影響。

Kumar 預計，NAND 閃存將成為下一個主要的供應瓶頸，並可能在明年出現最大幅度的價格上漲。

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人工智能需求加劇內存供應緊張

當前的環境與 2023 年形成鮮明對比，當時美光科技的毛利率為負 10%。

Kumar 表示，HBM 產量的增加也減少了傳統 DRAM 的供應量，因為 HBM 所需的晶圓面積大約是傳統 DRAM 的三倍。與此同時，激進的人工智能基礎設施支出正在吸收更多的內存供應，從而支撐更高的價格。

增加產能並不能立即解決問題。Kumar 表示，新建制造設施通常需要兩到三年時間，成本約為 80 億至 100 億美元。

預計第一批有意義的新增產能將在明年年中左右出現。即便如此，Kumar 預計市場仍將處於供應不足狀態。

美光財報成為焦點

美光科技定於 9 月 30 日發佈財政第四季度業績。

華爾街預計每股收益為 31.45 美元，高於一年前的 3.03 美元。預計營收將達到 507.5 億美元，而去年同期的營收為 113.1 億美元。

美光科技的市盈率約為 24.5 倍。

該股共識評級為 “買入”，平均目標價 為 1,522.83 美元。

最近的分析師行動包括：Rosenblatt 在 9 月 24 日維持 “買入” 評級和 1,500 美元的目標價。Wells Fargo 在 9 月 23 日維持 “增持” 評級，但將目標價下調至 1,400 美元，而 Citigroup 在同一天維持 “買入” 評級，並將目標價上調至 1,300 美元。

主要 ETF 持倉

iShares Semiconductor ETF (NASDAQ: SOXX) 持有美光科技 8.78% 的權重。Invesco PHLX Semiconductor ETF (NASDAQ: SOXQ) 的權重為 8.80%，而 State Street SPDR NYSE Technology ETF (NYSE: XNTK) 的權重為 8.87%。

這些基金的大幅資金流入或流出可能會轉化為對美光科技股票的買入或賣出壓力。

價格走勢

MU 股價活動： 根據 Benzinga Pro 數據，美光科技股價在週一盤前交易中下跌 2.03%，報 1,060.31 美元。

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