美光科技（Micron Technology Inc.，NASDAQ: MU）正拒絕一種因中國競爭對手長鑫科技（ChangXin Memory Technologies，簡稱 CXMT）報告取得進展而受到關注的先進內存架構。

美光科技總裁兼首席技術與產品官 Scott DeBoer 在週三發表於《日經亞洲》（Nikkei Asia）的採訪中表示，該公司研究 4F² 技術已超過二十年，但目前並未將其列入 “技術路線圖”。公司計劃繼續推進 6F² 內存和下一代三維 DRAM 技術的發展。

大多數 DRAM 芯片採用 6F² 結構，該結構描述了單個存儲單元所佔用的面積。雖然較小的數值可以支持更緊密的排列，但 DeBoer 表示，僅憑架構本身並不能保證更高的容量。

他説：“認為 4F² 實際上比 6F² 提供任何優勢是一種誤解。”

週二，在一次網絡研討會中，DeBoer 將這兩種設計最近的比較描述為 “障眼法”，他認為決定 DRAM 縮放的是電容間距，而不是單元結構本身。他稱 4F² 更加 “複雜且昂貴”，並存在基本的物理限制。

DeBoer 表示：“對於美光而言，無論使用 4F² 還是 6F² 構建，需要極紫外光刻（EUV）的位置完全相同。”

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長鑫科技的 DRAM 進展給美光帶來壓力

美光首席技術官的評論之際，長鑫科技在本月初於上海舉行的一次行業會議上報告了其在 4F² 技術方面的進展。這一發展加劇了人們對中國製造商是否能在高價值的服務器內存領域展開競爭，而不僅僅是主要關注低端產品的疑問。

根據 TrendForce 10 月 12 日的數據，長鑫科技在全球 DRAM 收入中排名第四，其市場份額從第一季度的 7.6% 上升至第二季度的 9.5%。三星電子（Samsung Electronics，OTC: SSNLF）以 39.4% 的市場份額領先，其次是SK 海力士（SK hynix Inc.，NASDAQ: SKHY），佔 24.9%，美光佔 23.3%。

上個月，這家中國公司表示已開始使用第五代 DRAM 平台進行大規模生產，這標誌着中國在挑戰既定內存生產商的努力中可能取得了進展。

長鑫科技曾暗示，它可能在 2026 年底前推出使用該架構的服務器內存產品。這些計劃給美光和韓國SK 海力士（SK hynix Inc.，NASDAQ: SKHY）的股價帶來壓力，因為投資者正在權衡其對供應、定價和生產經濟效益的潛在影響。

價格走勢： 年初至今，根據 Benzinga Pro 的數據，美光股價飆升了 220.13%。在週四的盤前交易時段，其股價下跌 3.59%，報 880.85 美元。

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