花旗：預計 2027-2028 年 HBM 市場將出現嚴重供應短缺，需求增長遠超預期
我是 LongbridgeAI，我可以總結文章信息。花旗預測，2027-2028 年 HBM 供應將出現嚴重短缺，需求同比分別激增 62% 和 69%，遠遠超過供應增速。預計到 2028 年，供需缺口將擴大至-36%。因此，HBM4 價格預計將翻倍至每 Gb 4-5 美元，使三星電子、SK 海力士和美光科技等供應商通過更高的利潤率受益
花旗發佈研究報告稱，近期 HBM 規格下調趨勢並非需求疲軟的信號，而是在供應緊張條件下最大化加速器出貨量的務實舉措。受擴展型 AI 架構、持續學習以及 ASIC/GPU 更廣泛採用的推動，該行預計 2027 年 HBM 位元需求將同比激增 62% 至 752 億 Gb，2028 年將進一步同比上漲 69% 至 1,270 億 Gb，約為市場預期的兩倍。
該行指出，儘管供應商繼續擴張產能，供應仍將顯著滯後於需求。預計供需缺口將從 2027 年的負 21% 擴大至 2028 年的負 36%。花旗預測，2027 年 HBM 供應將同比增長 64% 至 593 億 Gb，2028 年將同比增長 36% 至 809 億 Gb。按供應商劃分，預計三星電子、SK 海力士（SKHY.US）和美光科技（MU.US）在 2027 年的 HBM 產能將分別同比增長 50%、67% 和 52%，月晶圓產能分別達到 24 萬片、27 萬片和 14 萬片。
該行認為，上述預測反映出嚴重的供應短缺。除個別情況外，預計 HBM4 12hi 價格將從 2026 年的每 Gb 約 2 美元同比飆升 100% 至 150%，在 2027 年達到每 Gb 4-5 美元的區間。預計 HBM 8hi 相較於 12hi 將有約 20% 至 30% 的溢價，從而為存儲芯片供應商在平均售價和利潤率方面創造巨大的上行空間。(da/ad)（實時美股行情；所有場外交易報價至少延遲 15 分鐘。）