TradingKey - 美東時間 10 月 12 日，存儲股全線大跌，市場對中國 DRAM 製造商長鑫科技（CXMT）推出的下一代 DRAM 架構及其在年底前推出相關服務器內存產品的計劃擔憂加劇，引發人們對未來服務器內存市場競爭加劇的恐懼。

根據市場研究公司 Counterpoint 的數據，基於全球 DRAM 供應商營收，長鑫科技在 2026 年第二季度佔據 7% 的市場份額，全球排名第四。如果該技術成功商業化，預計長鑫將降低其單位內存成本，從而對現有供應商的市場份額和利潤率施加壓力。

長鑫科技總裁曹坎宇於 10 月 10 日表示，公司預計在年底前推出採用 4F²架構的下一代 DDR5 RDIMM 產品。這一進展的商業意義主要體現在存儲單元面積上。目前，主流 DRAM 採用 6F²架構，其中 F 代表工藝中的最小特徵尺寸。在相同的 F 值下，從 6F²過渡到 4F²理論上可以將單個存儲單元的面積減少約三分之一。晨星分析師於靜潔也指出，長鑫宣佈的新結構將存儲單元面積減少了約 30%。

對於 DRAM 製造商而言，存儲單元面積的減小有望提高每片晶圓的內存產量。如果大規模生產良率保持穩定，且額外的工藝成本未抵消密度增加帶來的收益，預計位成本將下降。因此，長鑫可能獲得更大的定價靈活性，或在相同售價下提高利潤率。

長鑫此次引入的一項關鍵創新是垂直環繞柵極（VSG）晶體管架構。通過使柵極更有效地控制電流，該結構旨在減少漏電流和短溝道效應，而垂直佈局有助於減少晶體管所佔用的平面面積。這為 DRAM 在傳統縮放越來越困難的情況下繼續提高密度提供了一條新的技術路徑。

值得注意的是，技術突破與成功的大規模生產商業化之間仍存在差距。晨星分析師認為，長鑫將該結構商業化可能 “極其困難”，主要挑戰包括批量生產過程中的一致性。在實驗或樣品階段取得的性能必須在連續生產中穩定複製，才能轉化為合格產品和實際利潤。

因此，雖然在年底前推出產品是一個值得關注的里程碑，但還不能由此推斷長鑫屆時將實現大規模、低成本的供應。RDIMM 是服務器中廣泛使用的內存模塊格式，其運行要求不僅包括速度，還包括長期連續穩定性、可靠性以及與服務器平台的兼容性。國際存儲巨頭在這一領域積累了強大的客户和工程優勢；為了擴大市場份額，長鑫必須清除製造和客户認證這兩大障礙。

對於現有的 DRAM 供應商來説，潛在壓力來自成本和供應兩方面。如果長鑫實現穩定量產並擴大供應，較低的單位成本可能幫助其贏得訂單，而有效供應的增加也可能對 DRAM 價格施加壓力。

另一方面，評估長鑫公告對存儲股的實際影響需要評估每家制造商的產品組合。服務器 DDR5 面臨的潛在競爭不能直接等同於對 HBM 業務的同等影響。展望未來，真正決定競爭壓力的將是長鑫的大規模生產良率、客户認證以及實際供應規模。