三星電子（OTC:SSNLF）據報道將使用台灣積體電路製造股份有限公司（NYSE:TSM）的工藝，為英偉達公司（NASDAQ:NVDA）定製的高帶寬內存製造基礎裸片。

英偉達推動供應商轉向台積電

今年 8 月，英偉達發佈了 NVHBM，這是一種定製設計，將內存控制器集成到基礎裸片中，與標準 HBM4E 相比，可提供高達 30% 的更高內存帶寬和降低 15% 的功耗。

據行業消息人士告訴《首爾經濟日報》，作為人工智能風向標的英偉達已要求負責生產 NVHBM 的三家供應商——三星、SK 海力士（NASDAQ:SKHY）和美光科技（NASDAQ:MU）——使用台積電的 3 納米工藝製造基礎裸片，即 HBM 堆棧底部的邏輯層。

英偉達還希望核心裸片在第 6 代 1c DRAM 工藝上實現標準化。

報道補充稱，三星設備解決方案部門在經過內部審查後接受了這一要求。

三星、SK 海力士、美光和英偉達均未立即回應 Benzinga 的置評請求。

台積電拒絕對該報道發表評論，稱其不對個別客户發表評論。

在 2024 年一份關於內存合作的聲明中，該公司表示已與包括美光、三星存儲和 SK 海力士在內的合作伙伴合作開發高帶寬內存解決方案，旨在 “應對人工智能領域迅速增長的需求”。

無論誰勝出，台積電均可受益

報道指出，三星曾在四年前與台積電就封裝兼容性進行過合作，但這是雙方首次在 HBM 製造階段進行合作。

三星將繼續保持其為其他客户供應標準 HBM 和定製 HBM 的交鑰匙模式。

Futurum Equities 首席市場策略師Shay Boloor認為，這種架構使英偉達 “隨着 HBM 價格上漲，在供應商之間轉移訂單時擁有更大的靈活性”，而台積電則 “無論哪家內存製造商贏得業務” 都將受益。

$NVDA 據報道要求三星、$MU 和 $SKHY 使用 $TSM 的 3 納米工藝為其下一代定製 HBM 構建基礎裸片。

這使得英偉達在 HBM 價格上漲時能夠更靈活地在供應商之間轉移訂單，同時讓台積電無論…… pic.twitter.com/9JKnIxsb93

— Shay Boloor (@StockSavvyShay) 2026 年 10 月 18 日

短缺與中國因素籠罩前景

摩根大通的分析顯示，2026 年、2027 年和 2028 年的 HBM 短缺率分別為 20%、19% 和 16%，到 2028 年累計短缺時間將達到 23 周。

內存芯片製造商也面臨着來自中國的激烈競爭，因為內存製造商長鑫存儲技術有限公司報告了在更密集 DRAM 設計方面的進展，並計劃到 2026 年底推出使用該設計的服務器內存產品。

價格走勢： 台積電在紐約證券交易所上市的股票週五收盤下跌 2.28%，報 412.6 美元，盤後交易下跌 0.04%。週一，該股在台灣股市持平，報 2,420 新台幣（74.53 美元）。

Benzinga Edge 排名顯示，台積電在紐交所上市的股票動量得分位於第 86 個百分位，增長得分位於第 85 個百分位。