三星电子（OTC:SSNLF）据报道将使用台湾积体电路制造股份有限公司（NYSE:TSM）的工艺，为英伟达公司（NASDAQ:NVDA）定制的高带宽内存制造基础裸片。

英伟达推动供应商转向台积电

今年 8 月，英伟达发布了 NVHBM，这是一种定制设计，将内存控制器集成到基础裸片中，与标准 HBM4E 相比，可提供高达 30% 的更高内存带宽和降低 15% 的功耗。

据行业消息人士告诉《首尔经济日报》，作为人工智能风向标的英伟达已要求负责生产 NVHBM 的三家供应商——三星、SK 海力士（NASDAQ:SKHY）和美光科技（NASDAQ:MU）——使用台积电的 3 纳米工艺制造基础裸片，即 HBM 堆栈底部的逻辑层。

英伟达还希望核心裸片在第 6 代 1c DRAM 工艺上实现标准化。

报道补充称，三星设备解决方案部门在经过内部审查后接受了这一要求。

三星、SK 海力士、美光和英伟达均未立即回应 Benzinga 的置评请求。

台积电拒绝对该报道发表评论，称其不对个别客户发表评论。

在 2024 年一份关于内存合作的声明中，该公司表示已与包括美光、三星存储和 SK 海力士在内的合作伙伴合作开发高带宽内存解决方案，旨在 “应对人工智能领域迅速增长的需求”。

无论谁胜出，台积电均可受益

报道指出，三星曾在四年前与台积电就封装兼容性进行过合作，但这是双方首次在 HBM 制造阶段进行合作。

三星将继续保持其为其他客户供应标准 HBM 和定制 HBM 的交钥匙模式。

Futurum Equities 首席市场策略师Shay Boloor认为，这种架构使英伟达 “随着 HBM 价格上涨，在供应商之间转移订单时拥有更大的灵活性”，而台积电则 “无论哪家内存制造商赢得业务” 都将受益。

$NVDA 据报道要求三星、$MU 和 $SKHY 使用 $TSM 的 3 纳米工艺为其下一代定制 HBM 构建基础裸片。

这使得英伟达在 HBM 价格上涨时能够更灵活地在供应商之间转移订单，同时让台积电无论…… pic.twitter.com/9JKnIxsb93

— Shay Boloor (@StockSavvyShay) 2026 年 10 月 18 日

短缺与中国因素笼罩前景

摩根大通的分析显示，2026 年、2027 年和 2028 年的 HBM 短缺率分别为 20%、19% 和 16%，到 2028 年累计短缺时间将达到 23 周。

内存芯片制造商也面临着来自中国的激烈竞争，因为内存制造商长鑫存储技术有限公司报告了在更密集 DRAM 设计方面的进展，并计划到 2026 年底推出使用该设计的服务器内存产品。

价格走势： 台积电在纽约证券交易所上市的股票周五收盘下跌 2.28%，报 412.6 美元，盘后交易下跌 0.04%。周一，该股在台湾股市持平，报 2,420 新台币（74.53 美元）。

Benzinga Edge 排名显示，台积电在纽交所上市的股票动量得分位于第 86 个百分位，增长得分位于第 85 个百分位。