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科技巨頭爭相鎖定多年供應,美光科技股價上漲

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美光科技(NASDAQ: MU)股價週二上漲超過 3%,儘管指數期貨走勢疲軟,但交易員重新湧入高貝塔值的半導體股。

截至發稿時,納斯達克期貨上漲 0.74%,標普 500 期貨上漲 0.32%。

美光的相對強勢是在其從年中高點回落之後出現的,投資者繼續權衡緊張的內存供應和人工智能驅動的需求與未來新增產能最終導致新一輪供過於求週期之間的風險。

內存供應仍是關鍵驅動因素

美光依然受益於人工智能基礎設施中使用的內存的強勁需求,而行業專家繼續預計,隨着製造商努力增加產能,供應限制將持續存在。

長期的爭論集中在隨着未來幾年新增產能上線,人工智能需求是否能繼續吸收新的內存產量。

克萊默在內存股中更青睞美光

吉姆·克萊默(Jim Cramer)表示,相較於 西部數據(NASDAQ: WDC),他更青睞美光,指出美光擁有更強的技術地位。

克萊默週二承認,西部數據的股價已經大幅下跌,且可能進一步下滑,但他表示在這兩家公司中,美光是他的首選。

他的觀點發表之際,儘管人工智能基礎設施帶來強勁的基礎需求,但內存和存儲股票仍然波動不定。

專家預計短缺將持續至 2028 年及以後

GraniteShares 首席執行官 威爾·林德(Will Rhind)在 7 月表示,華爾街可能仍然低估了高帶寬內存短缺的持續時間。他表示,增加產能需要數年時間,而人工智能基礎設施支出依然強勁,這種供需失衡可能會持續到 2028 年。

Yorkville America 首席執行官 史蒂夫·尼姆茨(Steve Neamtz)在 9 月也表達了類似觀點,他稱,能夠實質性緩解短缺的新晶圓廠可能要到 2028 年或 2029 年才能全面投產。他指出,高帶寬內存每千兆字節消耗的製造能力約為傳統內存的三倍,同時需求也正蔓延至 NAND 存儲領域。

美光首席執行官 桑傑伊·梅赫羅特拉(Sanjay Mehrotra)曾表示,供應狀況應在 2028 年逐步改善,但公司仍不清楚供應何時能趕上需求。美光 2027 年的產量中已有超過 75% 被預訂。

投資者 羅斯·格伯(Ross Gerber)在 10 月 5 日表示,他預計內存限制將持續更長時間,甚至可能長達十年,因為人工智能基礎設施需求正擴展到機器人等領域。他認為,即使組件價格最終下跌,不斷增長的終端市場需求也能吸收新增產能。

SK 海力士和三星受益於供應緊張

美光在 DRAM 和高帶寬內存領域的主要競爭對手也從這種失衡中受益。

10 月 28 日,Cantor Fitzgerald 分析師 C.J. Muse 預計 SK 海力士(NASDAQ: SKHY)將從人工智能基礎設施支出、漫長的設備交付週期以及持續至 2030 年的緊張內存供應中受益。他強調,管理層指出高帶寬內存的需求約為可用供應的兩倍。

Rosenblatt 分析師 凱文·卡西迪(Kevin Cassidy)也預計供應緊張將支撐 SK 海力士, citing HBM4 的增長、更強的定價能力以及覆蓋未來大部分產能的長期協議。

三星電子(OTC: SSNLF)同樣表示,人工智能驅動的內存需求可能導致供應約束在 2027 年比 2026 年更加緊張。

新增供應仍是主要風險

看漲前景仍伴隨着重大風險。

9 月,披露持有美光空頭的 馬丁·什克雷利(Martin Shkreli)警告稱,內存價格下跌可能會迅速削弱盈利週期。

中國的 長鑫存儲(CXMT)正在擴大 DRAM 產能並準備進入 NAND 領域,這可能會隨着時間的推移增加更多供應。

與此同時,Tastytrade 創始人 湯姆·索斯諾夫(Tom Sosnoff)在 11 月 2 日表示,美光、英偉達(NASDAQ: NVDA)和 超威半導體(NASDAQ: AMD)在大幅上漲後尚未跌到足以被視為超賣的水平,凸顯了強勁的長期內存基本面與持續的短期股票波動之間的脱節。

財報與分析師展望

美光下一份預估財報定於 2026 年 12 月 16 日發佈。

市場共識預期每股收益為 35.07 美元,高於去年同期的 4.78 美元;營收預期為 565.5 億美元,而去年為 136.4 億美元。

該股票的市盈率為 11.2 倍。

MU 價格走勢: 根據 Benzinga Pro 數據,截至週二發稿時,美光科技股價上漲 3.05%,報 859.01 美元。

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圖片:Shutterstock

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