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美光科技（NASDAQ: MU）概述了一项以日益增长的人工智能内存和存储需求为中心的技术和产品路线图，其中包括下一代 DRAM、高带宽内存（HBM）、NAND 和先进封装技术的计划。

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在公司举行的技术和产品领导力网络研讨会期间，总裁兼首席技术与产品官斯科特·德波尔（Scott DeBoer）表示，AI 正在改变内存的角色，使其从辅助组件转变为系统性能、容量和每令牌成本的核心瓶颈。他表示，美光旨在通过更高的带宽、更大的容量、更高的能效以及与客户的更紧密产品协作，共同推进内存、存储和计算的发展。

DRAM 路线图与 3D 转型

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德波尔表示，美光的 1-gamma DRAM 节点已实现大规模生产，并将作为未来 12 个月推出产品的基础。该公司预计其 1-delta DRAM 节点将于 2027 年下半年进入量产，目标是位密度提高 20% 中段水平，同时针对包括 HBM5、垂直 HBM 和垂直边缘推理内存在内的面向 AI 的产品优化该技术。

美光还描述了在 1-epsilon、1-zeta 和 eta 代技术方面的工作，包括晶圆键合、High-NA EUV、新材料和其他工艺创新。德波尔表示，公司在引入 3D DRAM 之前，对平面 DRAM 扩展的另外几代技术充满信心。

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虽然美光的路线图中包含 3D DRAM，但德波尔表示，部署时间将取决于成本、复杂性和设备性能考虑因素。他反驳了这样一种观点，即 4F² DRAM 架构本质上比 6F² 设计具有密度优势，他表示电容间距是决定 DRAM 位密度的基础因素。

“当我们从美光作为前沿科技公司的角度来看，当我们审视超越当前水平的 4F² 扩展时，这涉及物理定律，” 德波尔在问答环节中表示。“4F² 扩展存在根本性问题，最终将导致 3D DRAM 取代 4F²。”

HBM 扩张与垂直内存

美光表示，其 HBM4 已实现大规模生产，并正在开发标准和定制化 HBM 产品。该公司预计，定制 HBM 设计会将客户特定的内存和逻辑知识产权集成到基础晶粒中，而标准 HBM 产品将继续占据市场一部分。

该公司还描述了一种称为 “垂直 HBM” 的未来类别，其中内存直接集成在处理单元顶部。德波尔表示，该架构旨在主要提供大幅更高的带宽，而由于热管理挑战，容量将以不同的速度扩展。

据美光称，先进封装和混合键合对这些产品将越来越重要。德波尔表示，随着互连间距缩小，混合键合变得必要，他引用了带宽和散热方面的好处。该公司还在开发更高堆叠的 HBM 设计和热技术，包括放置在 HBM 基础晶粒较热区域上方的散热片。

美光表示，未来的标准和定制 HBM 基础晶粒将使用代工节点。德波尔表示，美光实现其功耗和性能目标并不需要更先进的 CMOS 技术来生产 HBM4，但 HBM4E 将需要更先进的 CMOS 以满足速度和功耗要求。

新型 DRAM 和 NAND 产品

美光重点介绍了几款即将推出的 DRAM 产品。该公司表示，LPDDR6 的功耗性能预计比 LPDDR5 提高 35%，在某些密度上改进更大。美光还表示，正与客户合作开发 DDR6，称其带宽是 DDR5 的两倍，并计划在最近采样的 512GB DDR5 RDIMM 之后推出 1TB RDIMM。

在 NAND 方面，美光表示其第 11 代技术将于 2027 年下半年放量。该公司表示，与第 9 代 NAND 相比，G11 的位密度将增加一倍以上，目标是实现 1.5 倍的 I/O 速度并降低数据传输能耗。该节点将采用晶圆对晶圆键合技术，层数超过 400 层。

美光还在两个领域追求其所谓的 “AI 级 NAND”：

• 基于 SLC 的高 IOPS NAND 设计，使用小块用于超快存储产品。
• 使用 TSV 堆叠 NAND 和更靠近计算资源的逻辑晶粒的高带宽 NAND。

德波尔表示，鉴于数据中心、汽车和边缘应用的不同性能和成本要求，公司将与客户合作确定适当的设计。

AI 工具、投资与客户合作

美光表示，其在内部利用 AI 加速产品开发和制造执行。德波尔引用了一个数据中心控制器设计的案例，其从硅片到流片的时间仅为上一代的一半，以及一个数据中心 SSD 开发项目，其完成时间比上一代减少了 60%。

该公司还指出了长期投资，包括扩大美光风投（Micron Ventures）的活动、在奥尔巴尼纳米技术中心（Albany NanoTech）进行的先进光刻研究，以及此前宣布的对美光研究实验室为期 10 年、金额 100 亿美元的承诺。德波尔表示，公司正与从初创公司 Liqid 到 Meta 等各类合作伙伴开展合作，美光和 Meta 最近发表了一篇专注于优化数据中心 LPDDR6 的白皮书。

在回应有关 AI 系统设计的问题时，德波尔表示，内存配置将在训练、推理、边缘和机架级部署中有所不同。然而，他表示基本原则仍然是更多的内存内容和带宽能提高系统性能。他补充说，美光预计未来两年内存供应不会达到平衡，引用了公司领导层此前的评论。

关于美光科技（NASDAQ:MU）

美光科技公司是一家开发和制造内存及存储产品的半导体公司。其产品组合包括动态随机存取存储器（DRAM）、NAND 闪存、NOR 闪存、固态硬盘、内存模块以及其他用于数据中心、个人电脑、智能手机、汽车系统、工业设备和消费电子的半导体解决方案。

该公司还提供高带宽内存和其他旨在支持人工智能、高性能计算、网络和图形应用的先进内存技术。

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