美光科技（Micron Technology Inc.，NASDAQ: MU）正拒绝一种因中国竞争对手长鑫科技（ChangXin Memory Technologies，简称 CXMT）报告取得进展而受到关注的先进内存架构。

美光科技总裁兼首席技术与产品官 Scott DeBoer 在周三发表于《日经亚洲》（Nikkei Asia）的采访中表示，该公司研究 4F² 技术已超过二十年，但目前并未将其列入 “技术路线图”。公司计划继续推进 6F² 内存和下一代三维 DRAM 技术的发展。

大多数 DRAM 芯片采用 6F² 结构，该结构描述了单个存储单元所占用的面积。虽然较小的数值可以支持更紧密的排列，但 DeBoer 表示，仅凭架构本身并不能保证更高的容量。

他说：“认为 4F² 实际上比 6F² 提供任何优势是一种误解。”

周二，在一次网络研讨会中，DeBoer 将这两种设计最近的比较描述为 “障眼法”，他认为决定 DRAM 缩放的是电容间距，而不是单元结构本身。他称 4F² 更加 “复杂且昂贵”，并存在基本的物理限制。

DeBoer 表示：“对于美光而言，无论使用 4F² 还是 6F² 构建，需要极紫外光刻（EUV）的位置完全相同。”

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长鑫科技的 DRAM 进展给美光带来压力

美光首席技术官的评论之际，长鑫科技在本月初于上海举行的一次行业会议上报告了其在 4F² 技术方面的进展。这一发展加剧了人们对中国制造商是否能在高价值的服务器内存领域展开竞争，而不仅仅是主要关注低端产品的疑问。

根据 TrendForce 10 月 12 日的数据，长鑫科技在全球 DRAM 收入中排名第四，其市场份额从第一季度的 7.6% 上升至第二季度的 9.5%。三星电子（Samsung Electronics，OTC: SSNLF）以 39.4% 的市场份额领先，其次是SK 海力士（SK hynix Inc.，NASDAQ: SKHY），占 24.9%，美光占 23.3%。

上个月，这家中国公司表示已开始使用第五代 DRAM 平台进行大规模生产，这标志着中国在挑战既定内存生产商的努力中可能取得了进展。

长鑫科技曾暗示，它可能在 2026 年底前推出使用该架构的服务器内存产品。这些计划给美光和韩国SK 海力士（SK hynix Inc.，NASDAQ: SKHY）的股价带来压力，因为投资者正在权衡其对供应、定价和生产经济效益的潜在影响。

价格走势： 年初至今，根据 Benzinga Pro 的数据，美光股价飙升了 220.13%。在周四的盘前交易时段，其股价下跌 3.59%，报 880.85 美元。

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