昨天 12:47

AI 推理大爆发，“悲催” 闪迪真有凤凰涅槃？

我是 LongbridgeAI，我可以总结文章信息。

本轮 AI 浪潮让 NAND 闪存从 “周期性过剩的大宗商品” 变成了 “供不应求的战略资源”，闪迪在分拆、甩掉了传统硬盘业务的拖累后，纯粹押注在 NAND 和数据中心 SSD 上，正好踩中了这个风口。

AI 服务器在进行推理、处理复杂的 Tokens、Prompt、多模态输入（视频、图像）以及生成合成数据时，需要高频、反复地读写历史数据。传统云架构的存储配置已经无法满足需求，现在的 AI 服务器单节点对 NAND 闪存的消耗量呈指数级增长。

在训练为主导的阶段，各家厂商更多重心在比拼算力方面；而进入推理阶段时，“AI 基础设施=XPU+ 存储 + 连接”，算力重要性削弱的同时，更注重存储和连接领域的需求。

AI 基建是如何影响 NAND 整体行业需求的呢？实际上 AI 数据中心并不是需要全部的 NAND 产品，主要需求集中在企业级 SSD 上。在当前 Agentic AI 及大推理时代，AI 最需要的是超大容量的企业级 QLC SSD 和高带宽、低延迟的 PCIe 5.0/6.0 SSD。

在下游大型 CSP 们拿着高溢价和长期订单来抢购企业级 SSD 的情况下，存储厂商将原本用于生产手机和 PC 的产能，大比例调整去生产 AI 企业级产品，“供给端的挤压” 间接影响了整体 NAND 领域的供需格局，带动 NAND 整体的周期上行。

在 NAND 市场上，主要玩家有三星、海力士、美光、闪迪等，而其中闪迪是最为纯粹的一个。三大原厂的重心仍在 DRAM 及 HBM 领域，闪迪在甩掉传统硬盘之后，全部聚焦于 NAND 闪存市场，将完全受益于本轮 NAND 的行业面 “升温”。

对于闪迪公司，海豚君在本文中主要围绕三个问题展开：①闪迪与西数的关系；②闪迪与铠侠的合作；③$闪迪(SNDK.US) 的 NAND 技术在行业面怎么样。后续闪迪公司的业绩表现及估值定价将放在下篇文章中，欢迎继续关注。

在技术策略上，闪迪不 “死磕” 层数，主攻 “横向微缩” 实现行业最高位密度；率先量产 CBA 键合架构以提升性能能效；并联合首推针对 AI 推理的 HBF（高带宽闪存）技术，综合技术依然在 NAND 厂商中处于相对领先的第一梯队。

在 AI 大模型推理引爆超大容量企业级 QLC SSD 强劲需求的情况下，闪迪凭借与铠侠延长至 2034 年的稳固产能保障、“纯血 NAND” 的高业绩弹性和 HBF 的潜在机会，公司将继续享受 AI 基建带来的增长红利。

海豚君对闪迪（SNDK.O）的具体分析，详见下文：

一、闪迪与西数：十年之痒，“分开” 两利

首先我们来看，闪迪是一家怎么样的公司？闪迪（Sandisk）虽然上市不久，但其实是存储行业中的 “老炮”。闪迪创立于 1988 年，是闪存技术的开创者之一，在 2016 年被西部数据以 160 亿美元左右的价格进行并购。

由于 HDD 和 NAND 两类产品的成长性及发展逻辑有明显的不同，会让公司整体受到市场性的 “低估折价” 影响。2023 年 10 月，西部数据宣布计划将其闪存业务分拆至以闪迪公司名义成立的新上市公司，西部数据则专营硬盘业务，并在 2025 年 2 月重新实现 “单独” 上市。

在当时分拆的时候，西部数据保留了闪迪 19.9% 的股份，至 2025 年 6 月已经减持至 5% 左右。由于西部数据在当时收购闪迪的时候，合计借了 180 亿美元左右的并购贷款，近十年公司一直承受着 “高额债务” 的重压。

在闪迪股价持续走高的情况下，西部数据也打算将手中的 “闪迪股票” 变现，从而减轻公司的债务压力。在 2026 年 2 月的公告中提到：西部数据计划将持有的 750 万股闪迪股票全部处置，这大约能减少 30 多亿美元的债务。

在 750 万股的处置中，西部数据一共分了两步走：

①通过 “债转股并在二级市场公开发售” 的方式处置了 582 万股。具体流程是 “先借了一笔过桥资金->用过桥资金把所有高级票价赎回->债转股->银行转手卖出”；

②用 “股换股” 的方式处置了剩余的 169 万股。具体操作是 “把闪迪股票换成自己的股票，再把 “换来的 480 万股” 注销掉”。

通过以上的操作，西部数据将闪迪进行 “分拆剥离”，其实对双方都是有利的：①西部数据在减轻债务压力的同时，更能聚焦在 HDD 领域；②闪迪成为一家完全独立的 NAND 闪存和固态硬盘公司。双方在股权上 “彻底脱钩”，闪迪拥有独立的主导权，不用再兼顾 HDD。

截止至 2025 年末，西部数据依然是闪迪的大股东之一。而随着西部数据清空闪迪股票之后，闪迪将成为由华尔街机构所控制的独立科技公司，公司大股东主要是富达投资、先锋基金、贝莱德等机构，西数的 “抛压” 已经消化掉了。

二、闪迪 + 铠侠：20 多年的持续合作

相比于美光等厂商，闪迪的产品更为 “单一”，公司收入全部来自于 NAND 领域。本轮 AI 浪潮的关注度一开始集中在 HBM 领域，闪迪在那时候并未受益。而当存储周期开始转向 NAND 的情况下，“all in NAND” 的闪迪表现也是更具弹性的。

从行业面来看，当前 NAND 行业出货量主要来自于三星、海力士和美光三大原厂，而铠侠（Kioxia）和闪迪紧随着这三家，大致占有 15% 左右的市场份额。

闪迪和铠侠的市场份额长期以来都是比较接近的，而这里需要理解的是，闪迪的产能基本都来源于日本合资工厂，与铠侠平分晶圆产能（大致是 4:6 的关系）。

虽然东芝（铠侠前身）发明了 NAND，但缺乏大规模商用化的资金和系统集成经验；而闪迪则拥有相关技术和市场渠道。因此，双方在 2000 年左右决定在日本四日市合作建立晶圆厂：

①共同出资：购买半导体制造设备（光刻机等），分担重资产风险；

②研发共享：在同一实验室研发 BiCS 架构（die 之前的环节是共研的），技术成果共享。而在 die 之后的环节，两家公司是通过自研构成差异化；

③产能分配：平分晶圆产能，各自拿走大约一半左右的晶圆（前道产能），独立销售。

闪迪与铠侠的合作关系是相当稳固的，中间经历了闪迪的收购及独立、东芝存储的更名，而双方的合作协议都并未中断。独立后的闪迪，在 2026 年 1 月宣布将原定于 2029 年到期的合资协议再次延长至 2034 年 12 月 31 日，保障了双方合作的持续性。

两家公司在同一天宣布 2026 年 7 月 BiCS10 工程样片送样，规格完全一致——332 层、1Tb TLC、密度超过 29 Gb/mm²，较 BiCS8 提升 59%，接口速度 4.8Gb/s（+33%），沿用 8 代引入的 CBA 与 OPS 技术。

当前闪迪的 NAND 晶圆基本都来自于日本的两个大型基地：①四日市基地，世界上规模最大的闪存生产基地，拥有 Fab3 至 Fab7 等多座工厂；②北上基地，新兴的增量基地，拥有 K1 和刚刚投入运营的 K2 工厂。

铠侠在 8 月 27 日宣布已启动北上工厂 Fab3 的场地平整及相关准备工作，厂址在 Fab2 以南，目标 2029 财年投产，用于扩产先进 BiCS FLASH。

两家公司在同日宣布 2032 年前（在延长后的合作协议之内）在日本投资超过 310 亿美元（约 5 万亿日元），前提是获得政府支持，市场预计 K3 约占其中 1.8 万亿日元（约 113 亿美元）。

三、NAND 的堆叠技术能力及经济性

当 NAND 产品从 2D 进阶到 3D 的时候，这已经不单单是制程的比拼，更重要的是层数的叠加。3D NAND 的容量提升，不再依赖于制程微缩，而可以通过增加堆叠层数的方式来实现，从而跳出了制程的 “死胡同”。

NAND 堆叠层数的增加，能直接带来存储密度的提高，这意味着用少量的资本开支也能实现 NAND 供应量的提升。因而各家厂商的层数进展，也能体现在 NAND 领域的产品能力。

a）堆叠技术选择

在堆叠层数不断增加的情况下，其中最大的技术难点在于深通道孔蚀刻：具体就是在 200-300 层膜层中，垂直打出数十亿个直径几十纳米的孔。

当单层刻蚀到 200-300 层的情况下，基本接近于极限。这就好比用一根细针，精准地刺穿几百张纸，中途不能断、不能歪，并且到底部的孔径还不能变细。

在进入 200 层级以上时，美光、三星等厂商基本采用双堆栈的方式。具体是，“先沉积 100-120 层材料，先进行第一次深孔刻蚀；再沉积第二组 100-120 层材料，进行第二次刻蚀。

在进一步向 300 层迈进的时候，三星和海力士选择了两种不同的方式：

①三星：计划通过材料的改进，继续用双堆栈的方式来实现更高的层数增加。由于堆栈次数越少，生产步骤也会越少，理论上能实现更高的良率和成本优势。但是三星 V9QLC（286 层）在此前因设计问题导致量产受阻，在 300 层以上级别略有落后。

②海力士：考虑到继续采用双堆栈的方式，风险明显增加（即单次刻蚀需要 150 层以上）。因而海力士率先转向三堆栈的方式（如 100+110+111），需要进行三次沉积和三次刻蚀，并且将每段进行通道孔互连（即严丝合缝的对准）。

目前三星 V9 还在坚持 “双堆叠”，海力士及闪迪都转入了 “三堆叠”，而三星下一代的 V10 也已经确认了将转为 “三堆叠” 的形式。

b）3D NAND 层数堆叠的经济性

当堆叠层数从 200 层级（232 层）提升至 300 层级（321 层），这在物理层数增加的同时，也会使单元尺寸在水平方向进一步微缩以及外围电路架构的优化，带动单片晶圆的位密度提升 50% 左右。

换句话说，如果一家工厂将原有产线从 200 层级提升至 300 层级。即使晶圆投入量不变，存储产品的总产能理论上也能增加一半。

由于通过层数增加就能实现产能的提升，因而 NAND 厂商往往会选择利用现有产线进行升级改造，这相比于新建产线的投资小了很多很多。其中新建厂房和基础设施全部省掉，只是在设备端替换和追加与新节点相关的部分设备（沉积、刻蚀、键合等），估算升级产线的成本将是新建的 1/3 左右。

另一方面，随着工序增加的情况（单层堆叠->双堆叠->三堆叠），其中需要的化学气相沉积（CVD）、清洗等流程次数也将增多，这也会直接增加单片晶圆的制造成本。

结合市场情况来预估，从 200 层级提升至 300 层级，产能有望提升 50% 左右，成本端的增加 30% 左右，平摊到单 GB 存储成本能下降 10-20%。从经济性的角度看，各家厂商会优先选择增加层数堆叠的方式来扩产。

四、NAND 各家的技术进展及对比

对于各家 NAND 产品的技术表现如何，其实是有几个维度来比较的，包括层数节点、位密度（Gb/mm²）、架构（CBA 键合/单元类型）、接口与读写性能等。

NAND 的技术迭代路径，主要也是从层数堆叠、位密度、架构及工艺改进、单位存储数量等方面展开。至于闪迪的选择，并没有去 “死磕” 层数，而是先将重心主要放在横向缩放、率先引入 CBA 技术并研发 HBF 产品方向，尤其是在单层上做多孔的密度，从而实现 “单位面积能存更大的容量”。

a）层数节点

在 NAND 市场中，海力士在层数堆叠领域是目前最为领先的。海力士公司的 321 层 QLC NAND SSD 在 2026 年 4 月开始量产交付，是全球首款进入量产交付阶段的 300 层以上的 QLC 产品（用了三堆栈的技术）。

其余几家（三星、美光、铠侠与闪迪）在堆叠领域的进展相近，其中按目前主力量产节点来看，321（海力士）> 286（三星）> 276（美光）> 218（闪迪/铠侠）。

①三星：V9 QLC（286 层）因为设计瑕疵推迟量产，在经历 “返工” 后实现量产爬坡。公司把平泽 P1 原本跑 6~8 代的旧线改造成 V9，同时在平泽 P4 PH1 和西安扩线，目前 V9 占比提升至一半以上。

三星公司在 2026 年 8 月首发第 10 代 BV-NAND (V10)，层数突破 400 层，公司后来承认将在这个产品中也转向 “三堆栈” 的方式。

②美光：G9 NAND (276 层) 是 2024 年发布的，至今 2 年过去了依然是公司出货主力。美光当前把重心转移至 DRAM 领域，NAND 进展有点偏慢，市场预计公司的下一代 NAND（可能是 G10）在 2027 年下半年才会量产；

③闪迪&铠侠：现在的主力产品是 BiCS8 (218 层)，BiCS10（332 层）从 2026 年 7 月开始工程送样，下一代 BiCS11 已进入开发。

闪迪和铠侠由于共用工厂，两家公司是用同一颗 die，比如都是基于 BiCS8 或 BiCS10，但两家公司都通过自研控制器和相关固件，实现产品上的差异。

b）位密度（Gb/mm²）

虽然堆叠层数仍相对落后，但闪迪&铠侠的面密度是最高的。这是因为闪迪和铠侠的路线图的核心是，通过 “存储孔” 密度提升和更紧密的单元封装来增加每片晶圆比特数，而不是简单堆层数——因为层数直接推高建厂资本开支和工艺复杂度。

BiCS 架构中具有“横向微缩”的特性。具体来看，就是 “把层做薄” 和 “把孔做密”，从而实现在同样的面积里塞入更多的存储位（即减少公摊面积）。这同样带来的问题是，在做薄的同时，会增加 “电荷干扰” 和 “读写寿命及可靠性” 的风险。

基于此，闪迪&铠侠的策略是，“将 BiCS9 面向于 AI PC 与手机领域，而 BiCS10 面向于 AI 推理与企业级”。其中 BiCS9 就是在 BiCS8 的基础上的小迭代，仅仅是微增了层数（218 层->230 层）。

由于各家产品的精确面密度（Gb/mm²）都未直接披露，结合市场预期，推测各家的面密度大致为：闪迪&铠侠 BiCS10（>29）>三星 V9/V10（28）>美光 G9（21）>海力士 Gen9（20）。

c）架构（CBA 键合/单元类型）

①CBA：在 CBA 方面闪迪&铠侠是架构维度的先发者，率先在 BiCS8（2024 年）中量产 CBA（CMOS Bonded to Array）架构——将逻辑晶圆与存储阵列晶圆分开制造、各自最优工艺，再通过 Cu-Cu 混合键合贴合，实现更高存储密度、更快 I/O、更小芯片尺寸，这也是后续 HBF 的基础。

三星和海力士在 2026 年才开始使用 CBA 键合，而美光至今还没使用，预计后续也将在 300 层 + 的级别中开始引入。

CBA 的方式能实现更高的效率，控制电路（读写速度）不需要受高温的影响，而存储单元在没有电路占空间的情况下，可以叠得更密集，这样也能让层高进一步得以压缩。

②单元类型：QLC（4bit/cell）是企业级大容量主流——闪迪 BiCS8 配 “UltraQLC” 2Tb 大 die；海力士推出 321 层 QLC；闪迪规划 TLC（3bit/cell）主打性能、QLC 主打容量的产品结构（BiCS9 用于 1TB TLC die），并明确不会采用 PLC（5bit/cell），继续靠 CBA+ 平面微缩提升性能与能效。

TLC、QLC 和 PLC 就是指一个单元（房间里）对应着放置几个电子，虽然从 TLC（3 个）->QLC（4 个）->PLC（5 个）的单位存储容量是大幅增加，但由于电子数的增加，也会影响到 NAND 的使用寿命。

d）接口与读写性能（数据传输速率）

从当前披露的三家厂商的接口速率来看，整体都相对接近。当前主流产品的数据传输速率普遍在 3.2-3.6Gbps，而至于下一代产品的数据传输速率有望提升至 4.8-5.6Gbps。

实际上目前的接口阵营分为 Toggle DDR 和 ONFI 两类，其中闪迪&铠侠、三星是选用的 Toggle DDR，而美光和海力士则是 ONFI 阵营，速率档位设置略有差异。

三星在 V9 中依然用了 Toggle 5.1 接口，而闪迪/铠侠相对激进，在 BiSC9 中已经采用了 CBA+Toggle DDR6.0，主要针对于高性能客户端与企业级 SSD（含 AI 负载）。

HBF（高带宽闪存）是最大的接口变量，由 SK 海力士与闪迪在 FMS 2026 联合首披露规范：有两种堆叠配置（8-Hi 与 16-Hi die），容量上限是 512GB。第一代产品目标约 1.6 TB/s、微秒级延迟、HBM 容量的 8–16 倍，介于 HBM 与 NVMe SSD（7–14GB/s）之间。

传统的 NAND 一般都是挂在 SSD 控制器之后，通过 PCIe 的方式连到 CPU。而 HBM 之所以快，是因为 “距离短、接口宽”，直接紧贴 GPU。而 HBF 就是将这套封装级接口直接给 NAND 用上，使得 HBF 能获得 “HBM 级的读取带宽 +8-16 倍于 HBM 的容量”。

值得注意的是，由于物理特性的区别，HBF 的随机读取的延迟约为 10us（HBM 为 10-100ns），大约差了 100-1000 倍。HBF 并不会完全替代 HBM，只是在 HBM 与 SSD 之间新添加了一层，更适用于密集推理场景——权重和大型上下文可以预取，单次读慢没关系，只要并行度够高。

闪迪的 HBF 进展：首颗 HBF die 已流片，首批推理产品样品预计 2027 年（CY27）交付

闪迪给出的 HBF 四种部署形态

① 替代型：纯 HBF。在相近的封装面积内，把 HBM 堆叠位全部换成 HBF，权重和 KV cache 都放在 HBF 里。容量优势最大化（同等带宽下 8–16 倍容量），但没有 HBM 做缓冲，也没有写入缓冲，是四种里对 NAND 写入寿命最敏感的一种（每生成一个 token 产生的 KV 都直接砸在 NAND 上）。

注：编程和擦除要靠高压把电子打穿隧穿氧化层，每一次都会在氧化层里留下陷阱电荷，累积到一定程度 cell 就再也关不住电荷了

② 缓存型：HBM/HBF Cached。HBM 退到前端做低延迟缓存层，权重和 KV cache 都存在 HBF。相对纯 HBF 降低了 HBF 的访问频次，但只要 KV 数据最终落在 HBF 上，写入约束依然存在。

③ 增配型：HBF+HBM 混搭。HBF 占据 xPU 周边的一部分堆叠位，剩下的仍然是 HBM，两者分工。这是门槛最低的一种——不要求加速器厂商放弃 HBM 就能把 HBF 塞进插槽，所以也最可能是第一代产品的落地形态。权重放 HBF、KV cache 留在 HBM。

④ 解耦型：Disaggregated。HBF 从计算单元旁边挪开、独立成池，存放 decode 阶段的权重和 KV cache，旁边配一个较小的 HBM 层做缓存。由于 HBF 大概率不会整体替代 HBM，有机会催生 AI 推理的解耦式架构——HBF 联盟里已经有谷歌、Meta、SK 海力士和 Tenstorrent 都在推这个方向。