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$台積電(TSM.US)

背景：台灣半導體制造公司與阿斯麥（ASML）宣佈合作，引領半導體行業向更大尺寸的極紫外（EUV）光刻掩模版轉型。雖然目前仍採用 6 英寸掩模版進行 High NA EUV 量產，但過渡到 12 英寸大尺寸掩模版預計將進一步提高晶圓廠生產力、降低芯片製造成本並消除拼接限制，從而惠及整個半導體行業。這將使先進芯片製造商能夠充分利用 High NA EUV 的優勢，使未來幾代尖端芯片更具成本效益。

我的交易：對台灣市場最強股票之一進行定投。與壟斷巨頭 ASML 的合作進一步鞏固了 TSM 在該領域的地位。

要點：台積電計劃從 2030 年開始在先進製程的高產量製造中使用 ASML 的 High NA 技術。隨着技術節點的推進，台積電預計需要 High NA EUV 的層數將增加，這主要是由 AI 應用所需的日益複雜的晶體管架構驅動的。@船长的宝藏

台積電已將建廠速度加快至歷史水平的 5 倍，目前在台灣有 13 座工廠在建，海外另有 5 至 6 座在建——總計近 20 座，但仍無法滿足需求。聯合營運長侯友宜表示，媒體報導指出建築工人是關鍵瓶頸。此外，自去年底以來，台積電的設備需求幾乎翻了一倍——設備供應商難以跟上這一節奏。$阿斯麥(ASML.US) $應用材料(AMAT.US) $台積電(TSM.US) #semiconductors

來源：Dan Nystedt

摩根士丹利：晶圓廠設備