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泛林集團

LRCX

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泛林集團 (LRCX)

Lam Research Corporation 設計、制造、銷售、翻新和服務用于集成電路制造的半導體加工設備,業務遍及美國、中國、韓國、中國台灣、日本、東南亞和歐洲。該公司提供 ALTUS 系統,用于沉積鎢或鉬金屬化應用的符合性或選擇性薄膜;SABRE 電化學沉積產品用于銅互連過渡,支持銅大馬士革制造;Striker...

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預測及評級

2026 年 9 月 16 日
目標價預測
$373.1338.59%
預測及評級強烈買入
35分析師
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每日事件

  1. 9月16日

    Lam Research 今日美股交易中高開後重挫,盤前衝高至 278.000 美元但盤中承壓大幅回落至 269.230 美元,跌幅約 2.28%,主要受近日董事大規模減持(賣出超 300 萬美元股票)觸發的市場拋售壓力影響。此外,技術面出現 MACD 死叉信號進一步加劇了下行風險。從基本面看,公司最新財報仍然強勁——Q4 2026 營收達 67.2 億美元(同比增長 29.99%),淨利潤 22.8 億美元(同比增長 32.39%),淨利率達 33.88%。從價格位置評估,雖然股價距 2026 年 6 月的 52 周高點 438.5 美元已下跌 38.6%,但年初至今仍累計上漲 45.48%,PE 估值為 46.37,考慮增速表現已趨於合理。

  2. 9月15日

    Lam Research(LRCX)今日承壓回調約 1%,盤中最低觸及$265.425,主要受前一日董事減持後的市場情緒壓力和高位獲利兑現影響。美股盤前曾上漲 1.89% 至$278.65,但盤中快速走低,反映出在年初至今上漲 46.37%、股價距 6 月高點 438.5 美元回調 38% 的背景下,投資者的獲利賣壓增加。技術面也出現轉弱信號,MACD 呈現死叉跡象,股價跌破 20 日和 60 日均線。不過從基本面看,最近兩個季度財報表現強勁,Q4 營收 67.2 億美元同比增長 30%,淨利潤同比增長 32%,ROE 高達 79%,同時市場需求旺盛、新增供應合同,分析師仍看好後市。估值方面 PE 為 46.65、PB 為 27.18,處於相對高位。

  3. 9月14日

    Lam Research 今日經歷大幅回調,收盤價 273.49 美元較前收 298.22 美元下跌 8.29%,主要受董事高管集中賣股消息衝擊以及大投資者調倉影響。盤前交易從 283.954 美元快速跌至 274.580 美元,反映出市場對管理層減持行為的負面反應,盤後交易小幅反彈至 275.81 美元顯示部分抄底需求。這波調整打破了年初以來 47.78% 的上漲勢頭,股價目前明顯弱於 20 日均線(307.4 美元)和 60 日均線(325.8 美元),距 52 周高點 438.5 美元已下跌 37.63%。從基本面看,最近兩季度財報表現強勁,Q4 EPS 同比增長 34.8%、營收同比增長 29.99%、淨利率達 33.88%,充分説明業務增長動力依然充足,現階段高估值(PE 47.1)反映的是市場對芯片設備行業 AI 需求長期前景的樂觀預期。

  4. 9月11日

    LRCX 今日呈 V 形走勢,盤前在公司上調 2026 年晶圓製造設備需求前景、確認芯片需求售罄的消息驅動下,於北京時間 21:29 升至 303.49 美元(較前一日收盤價 298.01 上漲 1.84%),之後盤中因獲利兑現承壓回落至 294.74 低點,最終收於 298.22 美元,盤後小幅反彈至 298.48 美元。雖最新財報表現強勁——Q4 營業收入 67.22 億美元、同比增長 30%,每股收益 1.81 美元、同比增長 35%——但年初至今已上漲 61.15% 的背景下,PE 51.4 倍、PB 29.9 倍的高估值與股價在 20 日均線 310.34 與 60 日均線 327.46 下方的技術面,都反映出市場在高預期基礎上面臨較大獲利兑現壓力。

  5. 9月10日

    LRCX 今日承壓下行,前收 315.84 美元,盤前開盤即跌至 302.14,跌幅 -4.4%,隨後盤中繼續走弱,收盤報 298.01,跌幅達 -5.7%,盤後繼續小幅回落至 297.71。盤前跌幅 -3.76%、盤中跌幅 -1.67% 的分化走勢反映出市場在前期高漲後的獲利兑現壓力。財報面看,公司 Q4 每股收益 1.812 美元,同比增長 34.8%;營業收入 67.22 億美元,同比增長 29.99%;淨利潤 22.77 億美元,同比增長 32.39%,業績表現亮眼。不過,從價格位置看,LRCX 年初至今上漲約 61%,但已經較 6 月 30 日 52 周高點 438.5 美元回調 32%;當前價格也明顯低於 20 日均線 312.28 和 60 日均線 328.64。此外,高管減持信號(董事 Bethany Mayer 拋售 300 萬美元股份等)疊加 PE 倍數 51.33 的較高估值,暗示當前高預期下的市場謹慎態度。

新聞

  • Schaeffers · 昨日 18:40

    芯片製造商的股價回撤至關鍵支撐趨勢線

  • TradingView · 昨日 13:01

    Bulten 集團贏得了泛林集團每年價值超過 1000 萬美元的供應合同

  • Tip Ranks · 昨日 10:11

    瑞穗銀行認為有 5 只半導體股票存在買入機會。其中哪一隻具有最大的上漲潛力?

  • benzinga_article · 前日 19:24

    億萬富翁投資者增持阿斯麥股份,退出科磊和泛林的持倉——同時涉及英偉達和博通

  • 美股行情速遞 · 前日 19:04

    泛林集團盤中急跌 現跌近7%

  • 美股行情速遞 · 前日 16:16

    泛林集團盤中急跌 現跌近8% 董事減持300萬美元股票

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看漲 vs 看跌 · 近 3 個月

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CDGSE
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  • H
    Hardik Shah前日 20:17

    瑞穗證券關於半導體板塊回調的觀點:“我們認為這是一個買入機會,$美光科技(MU.US)、$Lumentum控股(LITE.US)、$Credo Tech(CRDO.US)、$閃迪(SNDK.US)、$博通(AVGO.US)、$戴爾科技-C(DELL.US) 和 $泛林集團(LRCX.US) 依然處於有利地位。”

    “在 Anthropic 和 OpenAI 的首席執行官發表文章呼籲在 Dario Amodei 的文章之後放緩 AI 發展,並推動對前沿模型採用的監管護欄後,我們審視了 AI 半導體領域。要點:1) Anthropic 和 OpenAI 以安全為由尋求可能放緩 AI 發展,美國參議員 David Sacks 對此的利他主義理由提出反駁;2) 我們認為,實施 RSI 限制加上缺乏全球 AI 共識或協調,意味着潛在的 AI 節奏控制無效,因為這存在將市場份額讓給高效的中國競爭對手的風險(見第 2 頁);3) 關鍵觀察點——AI 實驗室和雲服務商(CSPs)的 AI 數據中心資本支出/GW 計算支出沒有變化,儘管 AI 採用仍處於早期階段,但對 AI 半導體受益者仍然保持積極態度。隨着 SOX 指數今早下跌約 6%,我們認為這是一個買入機會,MU、LITE、CRDO、SNDK、AVGO、DELL 和 LRCX 依然處於有利地位。”

    泛林集團

    泛林集團

    USLRCX

  • E
    Equity research8月23日 晚上06:06

    高盛:WFE

    整體市場增長

    > 大幅上調預測:高盛已上調其總 WFE 預測,預計 2026 年將達到 1500 億美元(較舊預測增加 6%),到 2028 年將顯著增至 2810 億美元(較舊預測增加 35%)。

    > 強勁的同比增長 (YoY) 動能:在 2026 年強勁增長 36% 之後,預計總 WFE 的同比增長將在 2027 年達到 +45% 的峯值。

    細分領域拆解(DRAM & 代工/邏輯芯片領先)

    > 代工/邏輯驅動:代工和邏輯板塊佔據最大份額,預計 2026 年支出為 920 億美元(上調 9%),並迅速增長至 2028 年的 1620 億美元。

    > DRAM 激增:DRAM 預計將爆發式增長,從 2026 年的 480 億美元增至 2028 年的 970 億美元,反映出持續的高需求,同比增長率保持在 35% 以上。

    > NAND 落後:相比之下,NAND 近期面臨下調(較舊預測降低 -4% 至 -13%),但仍預計到 2028 年恢復至 220 億美元左右。

    區域趨勢(中國 vs. 非中國)

    > 中國需求持續:中國繼續對 WFE 投資保持強勁胃口,預計 2026 年將貢獻 443 億美元(佔總 WFE 的 29%),並在 2028 年左右達到約 607 億美元的峯值。

    > 非中國擴張:世界其他地區(非中國)佔據支出的大部分,預計將從 2026 年的 1060 億美元加速增長至 2028 年的 2202 億美元(佔市場的 78%)。

    (來源 @knockouttrader)

    $應用材料(AMAT.US) $泛林集團(LRCX.US) $ACM Research(ACMR.US)

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    USLRCX

  • A
    AI Gossip8月17日 早上06:16

    韓國正在擴大並升級現有晶圓廠產能,因此持續進口 WFE 設備。其中,刻蝕(Etch)顯然是一個重點關注的領域。

    但有時數據會指向更細緻的圖景。在刻蝕領域內,增長故事 overwhelmingly 集中在幹法/等離子體刻蝕(Dry/Plasma Etch)上。

    為什麼?

    👉幹法刻蝕的激增與 SK 海力士 M15X 和三星 P4 的產能爬坡相吻合,且 HBM(高帶寬內存)的建設進一步加劇了這一趨勢:與傳統 DRAM 相比,TSV 刻蝕增加了一個額外的幹法刻蝕步驟,從結構上提高了每片晶圓的幹法刻蝕強度。

    最大受益者是誰?

    👉Lam Research(泛林集團)——它在存儲芯片幹法刻蝕領域佔據主導地位,而 HBM 增加的 TSV 刻蝕步驟只加深了其業務敞口。

    來源:Chips & Wafers

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