$闪迪(SNDK.US) and HBF thoughts:
一位分析师在闪迪财报电话会议上提问："高带宽闪存，我想知道你们是否看到该产品相比传统 NAND 有任何价格溢价。"闪迪的回应是："目前谈论其中一些节点的价格还为时过早。"这个回答让我感到困惑...HBF 是闪迪近期进入 AI 推理工作负载的增长引擎。由于 HBF 的 ASP（平均售价）将高于标准 NAND 闪存，因此需要预测闪迪 HBF 的经济模型，以评估这对未来收益意味着什么。进而，HBF 的价格需要与 HBM 进行比较，因为每一笔 HBF 订单都是相对于 HBM 做出的分配决策——相同的架构、相同的先进封装产能、相同的客户、相同的 BOM（物料清单）行、相同的认证周期等等。然而，让我感到困惑的部分在于此。在大多数行业中，当你对新产品定价得到这类非回答时——这通常是一个信号，表明其采用溢价定价模式，区别于现有公司和 ‘竞争’ 产品。你可以单独在 Google 上找到许多例子。所以简单来说，这是信号表明闪迪的 HBF 定价将与 HBM 大致相似吗？这似乎不太合理，因为普遍假设 HBF 在设计上就劣于 HBM。例如，HBF 延迟较低，但写入耐久性慢且有限，而 HBM 则是无限的。因此，为了弥补这些缺点，HBF 的定价是否应该相对低于 HBM？最终，如果闪迪的 HBF 确实获得高价定位，有什么理由能说明闪迪的需求会在长期内保持粘性？这些只是我的思考，但考虑到 SK 海力士和闪迪的 HBF 规格是在本周早些时候发布的，我希望闪迪在下周的投资者日上能提供更多清晰度/线索。
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三星报告 2026 年第二季度营业利润爆炸性增长 250 倍。营收同比增长 130%，环比增长 28% 至 1190 亿美元。HBM 以超过 60% 的营收占比成为销售最强的产品。该报告发布后股价上涨 4%，但迅速回落，最终收盘下跌 1%。看来这份精彩的财报仍无法阻止韩国股市的跌势。分析师预计这种情况将持续，直到大多数使用杠杆投资的投资者被清洗出局。韩国内存股是否已无投资价值，还是投资者只是在等待抄底？$SK海力士(SKHY.US)
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Needham：WFE & 内存
Vera Rubin POD 的 WFE 需求> 100 万 GPU 的影响：建设绿地晶圆厂产能以支持 100 万颗 Rubin GPU（约 5 GW 的数据中心容量）将推动 140 亿美元的 WFE 支出，DRAM/HBM 和逻辑芯片各占一半。> WFE 强度底线：Vera Rubin POD 的总 WFE 强度约为 9%，预计将成为未来的强度底线。> 支出增长：与单个 Rubin GPU 封装相比，完整的 Vera Rubin POD 的 WFE 总支出增加了 225%，主要受先进逻辑（增加 256%）和 DRAM/HBM（增加 164%）激增的驱动。硅含量 & 比例变化> 总芯片数量：单个 Vera Rubin POD 中打包了近 20,000 个 Nvidia 芯片。> 晶圆面积转移：低延迟推理和代理式 AI 的兴起使 DRAM 与逻辑的比例（晶圆面积）从 7:1 降至 4:1。> 供应动态：虽然传统 DRAM 仍然供应短缺，但市场也看到先进逻辑供应相应收紧。> POD 小计：在其总共 40 个机架（涵盖 NVL72、Groq 3 LPX、Vera CPU、Bluefield-4 STX 和 Spectrum-6 SPX）中，单个 Rubin POD 需要大约 1,384 片总计 300mm 晶圆，其中 DRAM 占主导（958.6 片）和先进逻辑（248.9 片）。$英伟达(NVDA.US) $美光科技(MU.US) $DRAM $EWY - E
Needham："DRAM/HBM 仍将是 AI 的真实瓶颈。"
> DRAM/HBM 瓶颈：预计 DRAM 和高带宽内存 (HBM) 将继续成为 AI 硬件扩展的重大瓶颈。> 比特量快速增长：受 HBM 采用率大幅上升的推动，总 DRAM 比特量（以百万 GB 计）预计到 2028 年将急剧扩张。> HBM 份额激增：预计 HBM 比特占总 DRAM 的比例将陡峭增长，到 2028 年超过 15%。> 晶圆产能转移：专门用于 HBM 的 DRAM 晶圆产能（以 kWSPM 衡量）预计将加速增长，预计到 2028 年近 50% 的总 DRAM 晶圆将用于 HBM。$美光科技(MU.US) $DRAM $EWY - D
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SK 海力士本周四定价，周五上市。我持有 2 倍杠杆的 SK 海力士 ETF，作为我对 7 月 10 日上市催化剂最直接的押注。仓位不大，因为用杠杆押注事件就像抛硬币，但这次机会太清晰了，完全错过又可惜。三星今天 580 亿美元的业绩让我对支撑这一逻辑的 HBM 需求更有信心了。
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SK 海力士在美国历史上最大的外国 IPO，恰逢内存价格回调，这告诉了你一切。HBM 之王筹集 290 亿美元以扩大产能，这可不是供应过剩的样子。我持有少量 SK 海力士 2 倍杠杆 ETF，等待其 7 月 10 日上市，仓位很小，因为用杠杆押注单一事件就像抛硬币。不过，这个催化剂太清晰了，完全错过也不应该。
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另一个主要因素是需求的强劲结构性增长，这一点显然得到了满足。
最直接的原因是英伟达需要不断升级其 “代币工厂” 硬件，以提供更高的代币吞吐量。这推动了 HBM 带宽和 HBM 容量（大小）的极快代际升级，导致需求呈指数级增长。
正如早先的 AI 半导体分析所总结的，代币吞吐量等于 HBM 大小乘以 HBM 带宽，而这一数值大约每代翻一番。平均而言，每个 GPU 的 HBM 大小每年增长超过 40%。
这条需求曲线增长如此陡峭，以至于供应方很难跟上。即使晶圆产量增长 14%，内存密度提高 9%，整体$Roundhill T-Rex 2X Long DRAM Dly TrgtETF(RAM.US)DRAM 供应增长也根本无法匹配 AI 驱动的 HBM 需求步伐。
在硬件架构中，注意力阶段的 KV 缓存既需要极高的带宽，也需要非常大的内存容量。这赋予了 HBM 独特且不可替代的地位。即使 HBM 价格上涨三到五倍，通过投资更多 HBM 获得的额外代币吞吐量，其成本效益仍然远高于将资金花在任何其他地方。
其他内存技术，如 SRAM、HBF、CXL 和 PIM，目前在关键的 KV 缓存和注意力工作负载方面无法与 HBM 直接竞争。至少在接下来的五年内，甚至可能更长时间，都没有可行的替代方案。
@Bridge Buzz SG
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对我来说，$美光科技(MU.US) 达到万亿美元市值仍然感觉不真实。我理解超级周期，但在上涨过程中我减仓了三分之一，NAND 和 HBM 的周期最终总是会转向的。这里真的有人在当前价位加仓吗，还是我们都在持有并祈祷 🙏
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$美光科技(MU.US) | 美光科技 - 2026 财年第三季度财报电话会议纪要
首席财务官 (Mark Murphy)➤ “我们对公司的财务发展轨迹感到非常满意。”➤ “过去两个季度，我们产生的现金流与公司历史上任何时期一样多。”➤ “我们预计现金流增长将在第四季度加速。”➤ “考虑到长期增长需求驱动力，我们对业务表现的持续性感到乐观。”➤ “我们计划在 CHIPS 协议签署两周年后开始增加资本回报。”➤ “我们预计市场紧张状况将持续到 2027 年以后。”➤ “到 2027 年，HBM（高带宽内存）的总可寻址市场（TAM）现在轻松超过 1000 亿美元。”➤ “启动成本将在第四季度开始显著增加，并持续到明年上半年。”➤ “2027 财年的资本支出将大幅增加，其中超过一半将用于建设。”首席业务官 (Sumit Sadana)➤ “HBM 产品的需求持续远超我们的供应能力。”➤ “即使到 2027 年之后进入 2028 年，客户需求也远超过我们能支持的水平。”➤ “非 HBM DRAM 也存在同样的供需失衡。”➤ “出货增长越来越多地由供应而非需求决定。”➤ “战略客户协议被设计为照付不议协议。”➤ “客户无法从这些协议中退出。”➤ “当前协议包括超过 220 亿美元的客户现金和财务承诺。”➤ “我们预计 LPDRAM（低功耗 DRAM）在数据中心内存中的占比将继续提高。”➤ “DRAM 和 NAND 的供应仍然高度紧张。”➤ “AI 需求、结构性供应挑战和战略客户协议的结合，对我们的业务具有彻底的变革性。”
